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4月18日晚間，功率半導(dǎo)體IDM龍頭士蘭微（600460.SH）發(fā)布2024年年度業(yè)績(jī)報(bào)告，公司2024年?duì)I業(yè)總收入為112.21億元，同比增長(zhǎng)20.14%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)2.20億元，與上年同期相比實(shí)現(xiàn)扭虧轉(zhuǎn)盈；扣非凈利潤(rùn)為2.52億元，同比增加327.34%。

公司經(jīng)過(guò)二十多年的發(fā)展，已經(jīng)成為目前國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IDM公司。2024年，公司營(yíng)業(yè)收入首次突破100億元，達(dá)到112億元人民幣，創(chuàng)造了中國(guó)大陸本土成長(zhǎng)起來(lái)的半導(dǎo)體IDM公司的歷史性時(shí)刻。公司電路和器件成品的銷(xiāo)售收入中，已有76%的收入來(lái)自大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車(chē)等高門(mén)檻市場(chǎng)。

各類(lèi)產(chǎn)品穩(wěn)定向好 集成電路板塊同比增長(zhǎng)31%

公司依托IDM模式形成的設(shè)計(jì)與工藝相結(jié)合的綜合實(shí)力，協(xié)同發(fā)展集成電路、功率器件、功率模塊、MEMS傳感器、光電器件和第三代化合物半導(dǎo)體芯片。面對(duì)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的加劇，公司通過(guò)持續(xù)推出富有競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，持續(xù)加大對(duì)大型白電、通訊、工業(yè)、新能源、汽車(chē)等高門(mén)檻市場(chǎng)的拓展力度，加快產(chǎn)品結(jié)構(gòu)調(diào)整的步伐。

公司集成電路在2024年?duì)I業(yè)收入為41.05億元，較上年同期增長(zhǎng)約31%，這主要是由于公司IPM模塊、AC-DC電路、32位MCU電路、快充電路等產(chǎn)品的出貨量明顯加快，其中32位MCU電路、IPM模塊較上年同期分別增長(zhǎng)36%和47%。

具體來(lái)看，32位MCU電路產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)36%的營(yíng)收增長(zhǎng)，主要得益于公司基于M0內(nèi)核的更大容量Flash更多管腳的通用高性能控制器產(chǎn)品，其滿足了多領(lǐng)域高性能的控制需求。IPM模塊實(shí)現(xiàn)47%的營(yíng)收增長(zhǎng)，主要源于產(chǎn)品在下游應(yīng)用領(lǐng)域的持續(xù)滲透。2024年，國(guó)內(nèi)多家主流的白電整機(jī)廠商在變頻空調(diào)等白電整機(jī)上使用了超過(guò)1.7億只士蘭IPM模塊，比上年同期增加約57%。此外，在電源管理芯片領(lǐng)域，公司也取得了顯著突破，成功開(kāi)發(fā)并推出了一系列面向汽車(chē)、大型白電、服務(wù)器及高端消費(fèi)電子市場(chǎng)的新產(chǎn)品。目前，這些新產(chǎn)品都已經(jīng)在客戶端測(cè)試或已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

在功率半導(dǎo)體和分立器件產(chǎn)品方向，公司在2024年應(yīng)用于汽車(chē)、光伏的IGBT和SiC（模塊、器件）的營(yíng)收達(dá)到22.61億元，同比增長(zhǎng)60%以上。公司自主研發(fā)的V代IGBT和FRD芯片已完成技術(shù)升級(jí)，以此款芯片為基礎(chǔ)的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊，已在國(guó)內(nèi)外多家客戶實(shí)現(xiàn)批量供貨；公司用于汽車(chē)的IGBT器件（單管）也已實(shí)現(xiàn)大批量出貨，公司用于光伏的IGBT器件（成品）、逆變控制模塊、SiC MOS器件也實(shí)現(xiàn)批量出貨；同時(shí)，基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生產(chǎn)的電動(dòng)汽車(chē)主電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊在4家國(guó)內(nèi)汽車(chē)廠家出貨量累計(jì)達(dá)5萬(wàn)只。

以國(guó)際先進(jìn)IDM大廠為標(biāo)桿 芯片設(shè)計(jì)研發(fā)成果顯著

公司始終秉持著“以國(guó)際上先進(jìn)的IDM大廠為學(xué)習(xí)標(biāo)桿，成為具有自主品牌，具有國(guó)際一流競(jìng)爭(zhēng)力的綜合性的半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商”的戰(zhàn)略目標(biāo)，依托設(shè)計(jì)與制造一體的模式，在半導(dǎo)體功率器件、各類(lèi)模擬芯片、MEMS傳感器、光電產(chǎn)品和化合物芯片等多個(gè)技術(shù)領(lǐng)域，持續(xù)投入生產(chǎn)資源與研發(fā)資源。

公司芯片設(shè)計(jì)研發(fā)成果顯著，利用在多個(gè)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的積累，提供針對(duì)性的芯片產(chǎn)品和系統(tǒng)應(yīng)用解決方案，不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量和口碑，提升產(chǎn)品附加值。在細(xì)分產(chǎn)品線上，MEMS傳感器領(lǐng)域，六軸慣性傳感器（IMU）已接獲多家國(guó)內(nèi)智能手機(jī)廠商批量訂單。除了繼續(xù)鞏固消費(fèi)電子市場(chǎng)份額外，還積極拓展工藝平臺(tái)，研發(fā)更高精度的慣性傳感器產(chǎn)品，向汽車(chē)、工業(yè)等市場(chǎng)進(jìn)軍。

功率器件領(lǐng)域，公司已完成多個(gè)電壓平臺(tái)的RC-IGBT（逆導(dǎo)型IGBT）產(chǎn)品的研發(fā)，并在汽車(chē)主驅(qū)、儲(chǔ)能、風(fēng)電、IPM模塊等領(lǐng)域中推廣使用。

SiC技術(shù)研發(fā)取得突破，公司已成功完成第Ⅳ代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)開(kāi)發(fā)，其性能指標(biāo)已接近溝槽柵SiC器件水平。目前，第Ⅳ代SiC芯片與模塊已送往客戶處進(jìn)行評(píng)測(cè)，預(yù)計(jì)基于該代芯片的功率模塊將于2025年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

深挖細(xì)分市場(chǎng)空間 加速推進(jìn)制造工藝與產(chǎn)能布局

公司制造工藝與產(chǎn)能布局加速推進(jìn)，依托于已穩(wěn)定運(yùn)行的5、6、8、12英寸硅芯片生產(chǎn)線和正在加快建設(shè)的4、6、8英寸先進(jìn)化合物芯片生產(chǎn)線，建立了新產(chǎn)品和新工藝技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，形成完整的特色工藝制造平臺(tái)。

產(chǎn)能擴(kuò)充方面，公司已在士蘭集昕8英寸線上加大MEMS傳感器芯片制造能力的投入，預(yù)計(jì)2025年慣性傳感器產(chǎn)品營(yíng)收翻倍。與此同時(shí)，公司12英寸線模擬電路、IGBT等功率器件芯片及IPM功率模塊封裝測(cè)試生產(chǎn)線同步擴(kuò)產(chǎn)。2025年IPM產(chǎn)品出貨量預(yù)計(jì)增長(zhǎng)30%—50%，并將持續(xù)優(yōu)化器件性能，推進(jìn)高壓1200V的IPM模塊、SiC器件和GaN器件的應(yīng)用。未來(lái)拓展汽車(chē)用市場(chǎng)是士蘭IPM模塊今后發(fā)展的主要方向。

SiC芯片產(chǎn)能持續(xù)提升，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)9000片6英寸SiC MOS芯片的生產(chǎn)能力。為滿足新一代SiC芯片上量的要求，公司已對(duì)6英寸線進(jìn)行技術(shù)改造和效率提升。預(yù)計(jì)2025年SiC芯片出貨量將顯著增加。此外，在報(bào)告期內(nèi)，公司已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC mini line的通線，并且II代芯片已在該線上試流片成功，預(yù)計(jì)將在2025年四季度實(shí)現(xiàn)全面通線并試生產(chǎn)，以搶占2026年車(chē)用SiC市場(chǎng)機(jī)遇。

值得一提的是，公司在氮化鎵和LED芯片領(lǐng)域也在持續(xù)發(fā)力。公司8英寸硅基GaN功率器件芯片研發(fā)量產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)通線，預(yù)計(jì)將于2025年二季度推出車(chē)規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)的GaN功率器件產(chǎn)品。與此同時(shí)，2024年公司加快推進(jìn)LED芯片生產(chǎn)線資源的整合、技術(shù)改造和產(chǎn)品升級(jí)，積極布局汽車(chē)照明領(lǐng)域，全力推動(dòng)LED芯片新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，加速開(kāi)拓車(chē)用照明市場(chǎng)。

在持續(xù)的產(chǎn)品創(chuàng)新、人工智能數(shù)據(jù)中心、下一代高性能計(jì)算（HPC）應(yīng)用、汽車(chē)電氣化和智能化、工業(yè)機(jī)器人等對(duì)半導(dǎo)體需求不斷增長(zhǎng)的帶動(dòng)下，全球半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)歷了2023年低谷后，在2024年恢復(fù)增長(zhǎng)。全球貿(mào)易風(fēng)險(xiǎn)的加劇，將進(jìn)一步刺激國(guó)內(nèi)市場(chǎng)對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片的需求有利于國(guó)產(chǎn)芯片加快進(jìn)口替代，同時(shí)推動(dòng)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體裝備、材料等行業(yè)的加快發(fā)展。

在此背景下，公司持續(xù)提升綜合能力，發(fā)揮IDM模式優(yōu)勢(shì)，加大對(duì)集成電路、功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器產(chǎn)品、光電器件和第三代化合物半導(dǎo)體（SiC、GaN）等新產(chǎn)品的研發(fā)投入，加快推出契合市場(chǎng)的新產(chǎn)品。同時(shí)，聚焦當(dāng)前汽車(chē)、新能源、算力和通訊等產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的契機(jī)，抓住國(guó)內(nèi)高門(mén)檻行業(yè)和客戶積極導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)芯片的時(shí)間窗口，利用多條不同尺寸硅芯片產(chǎn)線和化合物產(chǎn)線的特點(diǎn)拓展工藝技術(shù)與產(chǎn)品平臺(tái)，“持之以恒、做精做專”，深挖細(xì)分市場(chǎng)空間。